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Módulo de transistor individual, 500V, 112A, SOT227B, ±40V, marca IXYS Corporation.
Fabricante IXYSTipo de módulo transistor MOSFETEstructura del semiconductor transistor individualTensión drenaje-fuente 500VCorriente del drenaje 112ACarcasa SOT227BMontaje eléctrico atornilladoPolarización unipolarResistencia en estado de transferencia 39mΩCorriente del drenaje en impulso 330APoder disipado 1500WTecnología HiPerFET™, Polar™Clase de canal enriquecidoCarga de puerta 250nCTiempo de disponibilidad 250nsTensión puerta-fuente ±40VMontaje mecánico atornillado