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FMMT491TA Diodes Incorporated Transistors Bipolar - BJT NPN MedFMMT491TA Diodes Incorporated Transistors Bipolar - BJT NPN Med
VIPER50A Driver; controlador SMPS; 1,5A; 0÷700V; Canales:1; PentawattVIPER50A Driver; controlador SMPS; 1,5A; 0÷700V; Canales:1; Pentawatt
SPW47N60C3 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3SPW47N60C3 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
FMMT591TA Diodes Incorporated Transistors Bipolar - BJT PNP MedFMMT591TA Diodes Incorporated Transistors Bipolar - BJT PNP Med
2SC5244 Transistor 2SC5244A. Silicon NPN triple diffusion mesa2SC5244 Transistor 2SC5244A. Silicon NPN triple diffusion mesa
BR-2/3AE5SPN Batería lithium 3V, 1200mah, 2 pines, tamaño 2/3A, PANASONICBR-2/3AE5SPN Batería lithium 3V, 1200mah, 2 pines, tamaño 2/3A, PANASONIC
PIC16F886-I/SP Microcontrolador PIC, 14kB, 20MHz, 2-5.5VDC, DIP28PIC16F886-I/SP Microcontrolador PIC, 14kB, 20MHz, 2-5.5VDC, DIP28
LS14250 Batería Lithium Size 1/2AA, 3.6V, 1200mAh, Made In France, SAFTLS14250 Batería Lithium Size 1/2AA, 3.6V, 1200mAh, Made In France, SAFT
MY4IN 24VAC (S) Relay electromagnético, 4PDT, 24VCA, 5A/220VCA, 14 pinesMY4IN 24VAC (S) Relay electromagnético, 4PDT, 24VCA, 5A/220VCA, 14 pines
IXXK160N65B4 Transistor IGBT, GenX4™, 650V, 160A, 940W, Marca IXYSIXXK160N65B4 Transistor IGBT, GenX4™, 650V, 160A, 940W, Marca IXYS
189140.0,63 Fusible de cerámica 6.3x32mm 630mA 500V, con retardo189140.0,63 Fusible de cerámica 6.3x32mm 630mA 500V, con retardo
IRFBC30PBF Transistor N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220ABIRFBC30PBF Transistor N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
SUS066B 5-063-066500 TRANSFORMADOR ISOLERTRAFO 400-440/230V 50VASUS066B 5-063-066500 TRANSFORMADOR ISOLERTRAFO 400-440/230V 50VA
GES9515101P0002 GES9515 101 P0002 THYRISTOR TIPO DISCO PHASE CONTROL ABBGES9515101P0002 GES9515 101 P0002 THYRISTOR TIPO DISCO PHASE CONTROL ABB
G5SB-14 9VDC Relé Miniatura SPDT; Uinductor:9VCC; 3A/125VAC; 3A/30VDCG5SB-14 9VDC Relé Miniatura SPDT; Uinductor:9VCC; 3A/125VAC; 3A/30VDC
7012540.1.25 Fusible Cerámica, ultra rápido, 1.25A, 700VAC, 6x32mm7012540.1.25 Fusible Cerámica, ultra rápido, 1.25A, 700VAC, 6x32mm
94.74SMA Base para relay modelo 85.02, 85.04, 85.34, montaje DIN94.74SMA Base para relay modelo 85.02, 85.04, 85.34, montaje DIN
RH0256R000FE02 Resistencia 6 ohms, Tolerancia ±1%, Potencia 25 WattsRH0256R000FE02 Resistencia 6 ohms, Tolerancia ±1%, Potencia 25 Watts
G7SA-2A2B 24VDC Relay electromagnético 24VDC, SPST-NO x2 + SPST-NC x2, 6A/250VG7SA-2A2B 24VDC Relay electromagnético 24VDC, SPST-NO x2 + SPST-NC x2, 6A/250V
70.41.8.400.2030 Módulo de relay de monitorización de tensión, DIN, 250VCA/6A70.41.8.400.2030 Módulo de relay de monitorización de tensión, DIN, 250VCA/6A
CNY17-3 Transistor Output Optocouplers NPN PhototransistorCNY17-3 Transistor Output Optocouplers NPN Phototransistor
ER26500HD Batería Lithium 3.6V, 6500mAh, C, Thionyl ChlorideER26500HD Batería Lithium 3.6V, 6500mAh, C, Thionyl Chloride
SEMIX503GD126HDC Modulo IGBT SEMiX® 33c. Trench VCES 1200 V IC 300 ASEMIX503GD126HDC Modulo IGBT SEMiX® 33c. Trench VCES 1200 V IC 300 A
MJ11016 Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3MJ11016 Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
TT92N16KOF Discrete Semiconductor Modules 1600V 160A DUALTT92N16KOF Discrete Semiconductor Modules 1600V 160A DUAL
BSM150GB120DN2E3256 MODULO TRANSISTOR IGBT N-CH 210A, 1200V 7-PIN 62MMBSM150GB120DN2E3256 MODULO TRANSISTOR IGBT N-CH 210A, 1200V 7-PIN 62MM
189140.8 Fusible cerámica, 6x32mm, retardado, 8A, 500V, Marca Siba189140.8 Fusible cerámica, 6x32mm, retardado, 8A, 500V, Marca Siba
MY2N 24VDC (S) Relé electromagnético DPDT, 24VDC, 8 pines, 10A/220VCAMY2N 24VDC (S) Relé electromagnético DPDT, 24VDC, 8 pines, 10A/220VCA
PME261EB5220KR30 Capacitor 0.022uF=22nF, 300VAC, 15.2mm, 2 pinesPME261EB5220KR30 Capacitor 0.022uF=22nF, 300VAC, 15.2mm, 2 pines

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