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AT607 P10             Thyristor Phase control Vrrm Min. 200V. Vrrm Max. 800VAT607 P10 Thyristor Phase control Vrrm Min. 200V. Vrrm Max. 800V
LM393N  Circuito Integrado Analog Comparators Lo-Pwr Dual VoltagLM393N Circuito Integrado Analog Comparators Lo-Pwr Dual Voltag
2N6601 NTE Equvilent NTE278 TRANSISTOR NPN SILICON 40V IC=0.4A T2N6601 NTE Equvilent NTE278 TRANSISTOR NPN SILICON 40V IC=0.4A T
ER6VCT    Bateria Lithium 3.6V, Panasonic PLC Robot - IndustrialER6VCT Bateria Lithium 3.6V, Panasonic PLC Robot - Industrial
189140.0,125     Fusible de cerámica 6.3x32mm 125mA 500V con retardo189140.0,125 Fusible de cerámica 6.3x32mm 125mA 500V con retardo
94.04.SPA        Base Soporte, 14 Pines, 10A, para Relay 85.04, 55.32, 55.3494.04.SPA Base Soporte, 14 Pines, 10A, para Relay 85.04, 55.32, 55.34
STW9N150              Transistor N-MOSFET, unipolar, 1500V, 5A, 320W, TO247, Marca: STSTW9N150 Transistor N-MOSFET, unipolar, 1500V, 5A, 320W, TO247, Marca: ST
LR8D425 AAAA          Pila alcalina, 1.5V, Nro.pilas: 2, no recargable, DURACELLLR8D425 AAAA Pila alcalina, 1.5V, Nro.pilas: 2, no recargable, DURACELL
IRF9540NPBF       Transistor P-MOSFET, unipolar, -100V, -23A, 140W, TO220ABIRF9540NPBF Transistor P-MOSFET, unipolar, -100V, -23A, 140W, TO220AB
DSP2A-DC24V 24VDC        Relés universales 5A 24VDC 6 Pines, DPST NO SEALEDDSP2A-DC24V 24VDC Relés universales 5A 24VDC 6 Pines, DPST NO SEALED
SPW47N60C3        Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3SPW47N60C3 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
ER6V/3.6V      Batería Lithium 3.6V 2400mAh con 2 Pines tipo AxialER6V/3.6V Batería Lithium 3.6V 2400mAh con 2 Pines tipo Axial
002212005                    Fusible tipo botella, gG, 63A, 400VAC, 250VDC, D02, D0, ETI002212005 Fusible tipo botella, gG, 63A, 400VAC, 250VDC, D02, D0, ETI
ATMR30          Fusible de acción rápida, la clase, C.C. de 200kA I.R AC/100kA I.R, 600VAC/DC, 30AATMR30 Fusible de acción rápida, la clase, C.C. de 200kA I.R AC/100kA I.R, 600VAC/DC, 30A
FQP9N90C                       Transistor N-MOSFET, unipolar, 900V, 2.8A, 205W, TO220ABFQP9N90C Transistor N-MOSFET, unipolar, 900V, 2.8A, 205W, TO220AB
E39-R1            Reflector tipo fijación 2 x M3, Medidas interiores: 59.9x40.3x7.5mmE39-R1 Reflector tipo fijación 2 x M3, Medidas interiores: 59.9x40.3x7.5mm
GT11-50BAT         BATERIA LITHIUM MITSUBISHI GT11-50BAT or GT1150BATGT11-50BAT BATERIA LITHIUM MITSUBISHI GT11-50BAT or GT1150BAT
FZ400R12KS4  MODULO IGBT, 400A, 1200V, SINGLE,SHORT TAIL 62MMFZ400R12KS4 MODULO IGBT, 400A, 1200V, SINGLE,SHORT TAIL 62MM
WD1610-502 5K-STOP          Potenciómetro Precisión 5kΩ, 1 vuelta, lineal, ±15%, 6.35mmWD1610-502 5K-STOP Potenciómetro Precisión 5kΩ, 1 vuelta, lineal, ±15%, 6.35mm
002312402                 Fusible tipo botella gG, 4A, 500VAC, 500VDC, de cerámica, DII002312402 Fusible tipo botella gG, 4A, 500VAC, 500VDC, de cerámica, DII
DCR2950W65       Thyristor Tipo Disco 38500Amp, 6500V, Phase ControlDCR2950W65 Thyristor Tipo Disco 38500Amp, 6500V, Phase Control
SKiiP 23NAB126V1   Modulo IGBT MiniSKiip II 2, 25Amp. 1200V SemikronSKiiP 23NAB126V1 Modulo IGBT MiniSKiip II 2, 25Amp. 1200V Semikron