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BU2508AF Transistor De Energía Difundido SilicioBU2508AF Transistor De Energía Difundido Silicio
SKKD701/18 Módulo: diodos; doble serial; 1,8kV; If: 701ASKKD701/18 Módulo: diodos; doble serial; 1,8kV; If: 701A
VS-25RIA120 Thyristor de tornillo max. 40A, 25A, 1200V, 60mAVS-25RIA120 Thyristor de tornillo max. 40A, 25A, 1200V, 60mA
DF60LA80 MODULO RECTIFICADOR PUENTE TRIFASICO 800V, 60ADF60LA80 MODULO RECTIFICADOR PUENTE TRIFASICO 800V, 60A
SKT55/16E Thyristores, SCR 55A, 1600VSKT55/16E Thyristores, SCR 55A, 1600V
7MBR50SB120 IGBT(1200V/50A/PIM)7MBR50SB120 IGBT(1200V/50A/PIM)
PYF08A00G Base para relé 8 Pines, 5A, 277VAC, para riel DIN, marca AmphenolPYF08A00G Base para relé 8 Pines, 5A, 277VAC, para riel DIN, marca Amphenol
SKKT92/16 Módulo Thyristor 95A, 1600V, A46, SEMIPACK1, marca SemikronSKKT92/16 Módulo Thyristor 95A, 1600V, A46, SEMIPACK1, marca Semikron
751105 PNOZ s5 Módulo relay de seguridad, PNOZ s5 C, 24VDC751105 PNOZ s5 Módulo relay de seguridad, PNOZ s5 C, 24VDC
SKM145GB128D Modulo IGBT, 1.7kV, 100A, SEMITRANS2NSKM145GB128D Modulo IGBT, 1.7kV, 100A, SEMITRANS2N
SKM500GA123D MODULO IGBT SEMITRANS® 4 500A, 1200V, Marca: SEMIKRONSKM500GA123D MODULO IGBT SEMITRANS® 4 500A, 1200V, Marca: SEMIKRON
BSM200GA170DN2SE3256 Modulo IGBT 1700V 200A EupecBSM200GA170DN2SE3256 Modulo IGBT 1700V 200A Eupec
SKIIP31NAB12T49 3-phase bridge rectifier + braking chopper + 3-phase bridge inverterSKIIP31NAB12T49 3-phase bridge rectifier + braking chopper + 3-phase bridge inverter
FGA6560WDF Transistor IGBT 60Amp. 650V FS Gen3 TrenchFGA6560WDF Transistor IGBT 60Amp. 650V FS Gen3 Trench
F20KC60M Potencia Mosfet Transistor Rectificador IgbtF20KC60M Potencia Mosfet Transistor Rectificador Igbt
MTC800A1600V Módulo de thyristor de alta potencia 800Amp, 1600V, Marca TechSemMTC800A1600V Módulo de thyristor de alta potencia 800Amp, 1600V, Marca TechSem
FGL60N100BNTD Transistor IGBT; 1kV; 60A; 180W; TO264FGL60N100BNTD Transistor IGBT; 1kV; 60A; 180W; TO264
STP3NB100 P3NB100 Transistor 3A, 1000 V, 6 ohm, N-CHANNELSTP3NB100 P3NB100 Transistor 3A, 1000 V, 6 ohm, N-CHANNEL
95.65SMA Base Para Relay de 8 pines, 10A, 250V95.65SMA Base Para Relay de 8 pines, 10A, 250V
IRF840PBF 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFEIRF840PBF 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFE
FF300R12KE3_B2 Modulo IGBT 300A, 1200V, Marca InfineonFF300R12KE3_B2 Modulo IGBT 300A, 1200V, Marca Infineon
CM150DY-12NF Modulo IGBT Transistor 150A, 1,7V, 590W, marca MitsubishiCM150DY-12NF Modulo IGBT Transistor 150A, 1,7V, 590W, marca Mitsubishi
2N4124 Small Signal Transistors NPN Gen Pur SS2N4124 Small Signal Transistors NPN Gen Pur SS
TIP31C Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220ABTIP31C Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
CM300DU-12F MODULO IGBT 600V, 300A, MARCA MITSUBISHICM300DU-12F MODULO IGBT 600V, 300A, MARCA MITSUBISHI
SKKD15/12 Diodo power module 1200V, 15A, SEMIPACKSKKD15/12 Diodo power module 1200V, 15A, SEMIPACK
SKKH162/16E Módulo SCR doble serial 160A, 1600V, A22, SEMIPACK2SKKH162/16E Módulo SCR doble serial 160A, 1600V, A22, SEMIPACK2
SKKT57B16E Módulo Thyristor 1600V, 60A, SEMIPACK1, doble serialSKKT57B16E Módulo Thyristor 1600V, 60A, SEMIPACK1, doble serial
MDD44-16N1B Modulo diodo 59A, 1600V, doble serial, marca IXYSMDD44-16N1B Modulo diodo 59A, 1600V, doble serial, marca IXYS
CM150RX1-12A HIGH POWER SWITCHING USE. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tj = 25°CCM150RX1-12A HIGH POWER SWITCHING USE. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tj = 25°C
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