IRF7309PBF Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1,4W; SO8

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Fabricante	Infineon (IRF)
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Tecnología	HEXFET®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30/-30V
Corriente del drenaje	4/-3A
Poder disipado	1.4W
Carcasa	SO8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	50/100mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	16.7/16.7nC