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BSM50GP120 Modulos IGBT 1200V 50A PIMBSM50GP120 Modulos IGBT 1200V 50A PIM
DSEI2X31-10B Diodo Modulo 1000V fast recovery e(FREDDSEI2X31-10B Diodo Modulo 1000V fast recovery e(FRED
P2RFZ-08-E Base para Riel DIN, 8 pines, 5A, 250VCA, Destino: G2R-2-S, OMRONP2RFZ-08-E Base para Riel DIN, 8 pines, 5A, 250VCA, Destino: G2R-2-S, OMRON
SO965625 Relé stado solido input 3.5-32Vdc, 25A, 24-480VAC, con Led, Marca SENNDIKSO965625 Relé stado solido input 3.5-32Vdc, 25A, 24-480VAC, con Led, Marca SENNDIK
N1075LN180 THYRISTOR TIPO CAPSULA SCR, TO-200AC, 1800Volt. 1075Amp.N1075LN180 THYRISTOR TIPO CAPSULA SCR, TO-200AC, 1800Volt. 1075Amp.
SKKT273/16E Modulo Thyristor SCR, 320A, 1600V, 7-Pin A, SEMIKRON SKKT273/16E Modulo Thyristor SCR, 320A, 1600V, 7-Pin A, SEMIKRON 
62.83.9.024.0300 Relay electromagnético 24VDC, 8 Pines, 3PST-NO, 16A/250V62.83.9.024.0300 Relay electromagnético 24VDC, 8 Pines, 3PST-NO, 16A/250V
B614F-2T Módulo SCR 42.5A, 1200V, Puente monofásico - SCR/diodosB614F-2T Módulo SCR 42.5A, 1200V, Puente monofásico - SCR/diodos
TD162N16KOF MODULO POWER 162A 1600V SCR-DIODETD162N16KOF MODULO POWER 162A 1600V SCR-DIODE
SKB50/16A3 DIODO PUENTE, POWER BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 50A, 1200VSKB50/16A3 DIODO PUENTE, POWER BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 50A, 1200V
LY2N-J 24VDC Relay Electromagnético DPDT, 24VDC, 8 Pines, marca OmronLY2N-J 24VDC Relay Electromagnético DPDT, 24VDC, 8 Pines, marca Omron
SKT100/16E Thyristor de tornillo 1600V, 100A, 175A, 150mASKT100/16E Thyristor de tornillo 1600V, 100A, 175A, 150mA
IFS100B12N3E4_B40  MODULO IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR; 100A; 1200V; MARCA: INFINEON IFS100B12N3E4_B40  MODULO IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR; 100A; 1200V; MARCA: INFINEON 
SKKD162/16E Modulo diodo 160A-208A, 1600V, SEMIPACK2SKKD162/16E Modulo diodo 160A-208A, 1600V, SEMIPACK2
SKM200GB128D MODULO IGBT 300A 1200V, SEMITRANS3SKM200GB128D MODULO IGBT 300A 1200V, SEMITRANS3
SEMiX453GB12E4s MODULO IGBT 683A, 1200V, SEMIX 3SSEMiX453GB12E4s MODULO IGBT 683A, 1200V, SEMIX 3S
FF225R12ME4 Módulos IGBT IGBT 1200V 225AFF225R12ME4 Módulos IGBT IGBT 1200V 225A
MCD200-16IO1 Módulo Thyristor y diodo 216A, 1600V, marca IXYSMCD200-16IO1 Módulo Thyristor y diodo 216A, 1600V, marca IXYS
SGW50N60HS G50N60HS Transistor: IGBT; 600V; 50A; 416W; TO247SGW50N60HS G50N60HS Transistor: IGBT; 600V; 50A; 416W; TO247
RT424730 7-1393243-9 Relé electromagnético 230VCA, 8A/250VAC, marca TE ConnectivityRT424730 7-1393243-9 Relé electromagnético 230VCA, 8A/250VAC, marca TE Connectivity
CK158 9Y9412 Módulo de protección de Varistor, generador rectificadorCK158 9Y9412 Módulo de protección de Varistor, generador rectificador
14FF-2Z-C3 Base para relé 8 Pines, riel DIN, 10A, 250VAC, marca Hongfa14FF-2Z-C3 Base para relé 8 Pines, riel DIN, 10A, 250VAC, marca Hongfa
FD200R12KE3 Módulo IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 200A,1200V, Marca: InfineonFD200R12KE3 Módulo IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 200A,1200V, Marca: Infineon
RSD-12V 400-604-12 NR-ND-12V RELAY MINIATURA MAGNETICO 6 PINRSD-12V 400-604-12 NR-ND-12V RELAY MINIATURA MAGNETICO 6 PIN
2MBI300VB-060-50 Modules. IGBT MODULE (V series). 300A, 600/ 2 in, Marca: Fuji Electric2MBI300VB-060-50 Modules. IGBT MODULE (V series). 300A, 600/ 2 in, Marca: Fuji Electric
SKKT107B16E Modulo thyristor, double series, 119A, 1600V, SEMIPACK1SKKT107B16E Modulo thyristor, double series, 119A, 1600V, SEMIPACK1
MG75Q2YS50 Modulo Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control ApplicationsMG75Q2YS50 Modulo Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications
TD190N16SOF Módulo thyristor-diodo 190A, 1600V, BG-PB34SB-1, Marca InfineonTD190N16SOF Módulo thyristor-diodo 190A, 1600V, BG-PB34SB-1, Marca Infineon
BUV48A Transistor NPN, bipolar, 1000V, 15A, 125W, TO247-3, Marca: ST Microelectronics.BUV48A Transistor NPN, bipolar, 1000V, 15A, 125W, TO247-3, Marca: ST Microelectronics.
D1D12 Rele Stado Solido, Entrada 3.5-32VDC, 12A, 1-100VDCD1D12 Rele Stado Solido, Entrada 3.5-32VDC, 12A, 1-100VDC
BSM15GP120 Módulo IGBT 1200V, 15A, PIM, Marca: InfineonBSM15GP120 Módulo IGBT 1200V, 15A, PIM, Marca: Infineon
IXFK44N50P Transistor N-MOSFET, unipolar, 500V, 44A, 500WIXFK44N50P Transistor N-MOSFET, unipolar, 500V, 44A, 500W
SKIIP83AC12IT1 Modulo MiniSKiiP 8. SEMIKRON integrated intelligent PowerSKIIP83AC12IT1 Modulo MiniSKiiP 8. SEMIKRON integrated intelligent Power
RGZE1S48M Base para Riel DIN, 8 Pines, 5A, 250VCA, Montaje: DINRGZE1S48M Base para Riel DIN, 8 Pines, 5A, 250VCA, Montaje: DIN
CM300DY1-24NF MODULO IGBT 300A, 2400V, HIGH POWER SWITCHINGCM300DY1-24NF MODULO IGBT 300A, 2400V, HIGH POWER SWITCHING
OAC5A Rele Estado Solido, semiconductor, 2.75-8VDC, 3.5A, 24-240VACOAC5A Rele Estado Solido, semiconductor, 2.75-8VDC, 3.5A, 24-240VAC
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