¿Qué hay en mi Carrito?

..
  Producto Existencias Cantidad
BSM100GP60     Módulos IGBT 100A,600V,BRIDGE/INVERTER/BRKBSM100GP60 Módulos IGBT 100A,600V,BRIDGE/INVERTER/BRK
97.01SPA           Base de relay 5 Pines, para serie 46.61, marca Finder97.01SPA Base de relay 5 Pines, para serie 46.61, marca Finder
CM100TJ-24F Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/12CM100TJ-24F Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/12
40.61.8.024.400    Relay 8 Pines, SPDT, Bobina 24VAC, 16Amp40.61.8.024.400 Relay 8 Pines, SPDT, Bobina 24VAC, 16Amp
SKM200GB12T4             Modulo IGBT 241A, SEMITRANS3, 1200VSKM200GB12T4 Modulo IGBT 241A, SEMITRANS3, 1200V
2SK2611            Transistor MOSFET, 2SK2611(F), N-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN2SK2611 Transistor MOSFET, 2SK2611(F), N-Canal, 9 A, 900 V, 3-Pin, TO-3PN
LY4N 200/220VAC                                 Rele electromagnético, Bobina 220VCA, 14 pines, 4PDT, marca OmronLY4N 200/220VAC Rele electromagnético, Bobina 220VCA, 14 pines, 4PDT, marca Omron
SKIIP 11NAB126V1            Módulo IGBT 1.2kV, 15A, diodo/transistor, marca SemikronSKIIP 11NAB126V1 Módulo IGBT 1.2kV, 15A, diodo/transistor, marca Semikron
56.32.9.012.0000              Relay electromagnético, DPDT, Bobina 12VDC, 8 pines, Marca Finder56.32.9.012.0000 Relay electromagnético, DPDT, Bobina 12VDC, 8 pines, Marca Finder
SKIIP613GB123CT           Module IGBT SKIIP613GB123CT MARCA: SEMIKRONSKIIP613GB123CT Module IGBT SKIIP613GB123CT MARCA: SEMIKRON
BSM100GB120DN2K                  Módulo de potencia IGBT, N-CH, 145A, 1200V, 7 pines, Marca: InfineonBSM100GB120DN2K Módulo de potencia IGBT, N-CH, 145A, 1200V, 7 pines, Marca: Infineon
7MBR75VP060-50                Modulo IGBT; V Series 1200V / 75A / PIM; FUJI ELECTRIC7MBR75VP060-50 Modulo IGBT; V Series 1200V / 75A / PIM; FUJI ELECTRIC
2MBI300N-060                  Modulo IGBT 600V, 300A, marca Fuji Electric2MBI300N-060 Modulo IGBT 600V, 300A, marca Fuji Electric
SKIIP24AC126V1                   Módulo IGBT, transistor/transistor, Puente trifásicoSKIIP24AC126V1 Módulo IGBT, transistor/transistor, Puente trifásico
MG400Q2YS60A                 Modulo Silicon N Channel IGBT 400A; 600V; High Power Switching Applications Motor Control; Marca: Toshiba MG400Q2YS60A Modulo Silicon N Channel IGBT 400A; 600V; High Power Switching Applications Motor Control; Marca: Toshiba 
2MBI100S-120          Módulo IGBT 150 A, 1.200 V, N-Canal, M234, 7-Pines2MBI100S-120 Módulo IGBT 150 A, 1.200 V, N-Canal, M234, 7-Pines
TD210N16KOF         Módulo doble serial; 1,6kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax:1,65VTD210N16KOF Módulo doble serial; 1,6kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax:1,65V
KP1000A                   Thyristor de control de capsula KP1000A-1800V, 74mm x 26mm, Marca: TechsemKP1000A Thyristor de control de capsula KP1000A-1800V, 74mm x 26mm, Marca: Techsem
TD215N22KOF    MODULO DE POTENCIA 215A 2200V SCR-DIODETD215N22KOF MODULO DE POTENCIA 215A 2200V SCR-DIODE
MDD56-16N1B                       Modulo doble diodo 71A, 1600V, TO240AA, marca IXYSMDD56-16N1B Modulo doble diodo 71A, 1600V, TO240AA, marca IXYS
SKKE81/12             Módulo diodo, diodo individual, 80Amp, 1200V, SEMIPACK1, A12, Marca: SemikronSKKE81/12 Módulo diodo, diodo individual, 80Amp, 1200V, SEMIPACK1, A12, Marca: Semikron
FP35R12KT4-B15                 Modulo IGBT PIM 35A, 1200V; Marca: InfineonFP35R12KT4-B15 Modulo IGBT PIM 35A, 1200V; Marca: Infineon
P846A6902                  Modulo IGBT, inverter diodo PIM, marca VincotechP846A6902 Modulo IGBT, inverter diodo PIM, marca Vincotech
62.33.9.024.0070        Relay electromagnético, 24VDC, 3PDT, 11 pines, 16A/250V, MARCA FINDER62.33.9.024.0070 Relay electromagnético, 24VDC, 3PDT, 11 pines, 16A/250V, MARCA FINDER
55.34.8.024.0040                  Relé encapsulado 4PDT, Bobina 24VAC, 7A/250V, Marca Finder55.34.8.024.0040 Relé encapsulado 4PDT, Bobina 24VAC, 7A/250V, Marca Finder
SKM300GB125D          MODULO IGBT, 1200V, 300 A @ DegC, 20 V, Case D 56SKM300GB125D MODULO IGBT, 1200V, 300 A @ DegC, 20 V, Case D 56
MMF200N070DK                     Diodo rectificador de potencia 200A, 700V, MACMICMMF200N070DK Diodo rectificador de potencia 200A, 700V, MACMIC
FF200R12KT4                 Módulo IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A, 1200V, Marca: SemikronFF200R12KT4 Módulo IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A, 1200V, Marca: Semikron
SEMIX101GD128Ds            Modulo IGBT SEMIX 13s SPT, SEMiX 101GD128DsSEMIX101GD128Ds Modulo IGBT SEMIX 13s SPT, SEMiX 101GD128Ds
SKKE301F12               Módulo diodo, diodo individual, 300A, 1200V, SEMIPACK2SKKE301F12 Módulo diodo, diodo individual, 300A, 1200V, SEMIPACK2
SEMIX201GD128DS             MODULO IGBT,1200V,200A,SIX-PACK 200A,1200V IGBT SEMIKRONSEMIX201GD128DS MODULO IGBT,1200V,200A,SIX-PACK 200A,1200V IGBT SEMIKRON
4MBI340VF-120R-50                  Modulo IGBT potencia 340A, 1200V, ±600V/340A/RB-IGBT, FUJI ELECTRIC4MBI340VF-120R-50 Modulo IGBT potencia 340A, 1200V, ±600V/340A/RB-IGBT, FUJI ELECTRIC
FF225R12ME4             Módulos IGBT IGBT 1200V 225AFF225R12ME4 Módulos IGBT IGBT 1200V 225A
C431PM            Thyristor Phase Control SCR 450-600 Amperes Avg 500-1800 VoltsC431PM Thyristor Phase Control SCR 450-600 Amperes Avg 500-1800 Volts
VUO82-16NO7    Diodo Rectificador en puente 82A, 1600V, 3PHS RECT BRIDGEVUO82-16NO7 Diodo Rectificador en puente 82A, 1600V, 3PHS RECT BRIDGE

..

LH.pe