IRF840PBF 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFE

  • FABRICANTE: INTERNATIONAL RECTIFIER
  • PART# Model:IRF840
  • STOCK:30
  • COTIZAR: IRF840
  • PRECIO:-
IRF840PBF 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFE

DESCRIPCIÓN

500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab

 

FICHA TECNICA
Data Sheet irf840 

RELATED PRODUCTS YOU MIGHT LIKE

SI4947ADY Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto de campo
SI4947ADY Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto de campo
View
BSS84 Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto de campo (M
BSS84 Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto de campo (M
View
S202S01 Relay estado solido 8A,600VAC max, SIP4
S202S01 Relay estado solido 8A,600VAC max, SIP4
View
MRF314A Transistor, Motorola, Transistor, 28 volt
MRF314A Transistor, Motorola, Transistor, 28 volt
View
2N3904 Small Signal Transistors NPN Gen Pur SS
2N3904 Small Signal Transistors NPN Gen Pur SS
View
TK39N60X,S1F(S Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
TK39N60X,S1F(S Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
View
IRG7IC28U TO220type, IRG71C28U / PDP Trench IGBT
IRG7IC28U TO220type, IRG71C28U / PDP Trench IGBT
View
BSS138 Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto de campo (
BSS138 Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto de campo (
View
Telefono