MG150J2YS50 Modulo GTR Silicon N Channel IGBT 150A, 600V. High Power Switching, Motor Control Applications

  • FABRICANTE: Toshiba Semiconductors
  • PART# Model:MG150J2YS50
  • STOCK:8
  • COTIZAR: MG150J2YS50
  • Precio (No incl. IGV):$0.00
MG150J2YS50 Modulo GTR Silicon N Channel IGBT 150A, 600V. High Power Switching, Motor Control Applications

DESCRIPCIÓN

Modulo GTR  Silicon N Channel IGBT 150A, 600V. High Power Switching, Motor Control Applications

FICHA TECNICA
Data Sheet TOSHIBA_MG150J2YS50 

PRODUCTOS RELACIONADOS QUE LE PODRíAN GUSTAR

S-AV17 MÓDULO AMPLIFICADOR DE POTENCIA RF BANDA UHF / FM TRANSCEPTOR DE MANO
S-AV17 MÓDULO AMPLIFICADOR DE POTENCIA RF BANDA UHF / FM TRANSCEPTOR DE MANO
Ver
IRKT162/16E Modulo doble thyristor 162A, 1600VAC, I&R Rectifier
IRKT162/16E Modulo doble thyristor 162A, 1600VAC, I&R Rectifier
Ver
LUH75G1204 Modulo de potencia 75A, 1200V, LS Electric
LUH75G1204 Modulo de potencia 75A, 1200V, LS Electric
Ver
RM25TN-2H Diodo Trifásico 25A, 1600V, MITSUBISHI
RM25TN-2H Diodo Trifásico 25A, 1600V, MITSUBISHI
Ver
KD40F-120 Modulo doble diodo 40A, 1200V, SANREX
KD40F-120 Modulo doble diodo 40A, 1200V, SANREX
Ver
MIG30J103H Modulo IGBT 30A, 1200V, high power switch, Toshiba
MIG30J103H Modulo IGBT 30A, 1200V, high power switch, Toshiba
Ver
SGM25PA12A8TFD Modulo Motor Drives 35A, 1200V, VCE(sat)(typ, SL
SGM25PA12A8TFD Modulo Motor Drives 35A, 1200V, VCE(sat)(typ, SL
Ver
IRGKI200F06 Modulo Semiconductors diodo, 200A, 600VAC, I&R RECTIFIER
IRGKI200F06 Modulo Semiconductors diodo, 200A, 600VAC, I&R RECTIFIER
Ver
LH.pe
Telefono